IGBT vs MOSFET
Ang MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) at IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ay dalawang uri ng transistor, at pareho ang mga ito sa kategoryang pinapatakbo ng gate. Ang parehong mga device ay may magkatulad na hitsura na mga istraktura na may iba't ibang uri ng mga layer ng semiconductor.
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)
Ang MOSFET ay isang uri ng Field Effect Transistor (FET), na gawa sa tatlong terminal na kilala bilang ‘Gate’, ‘Source’ at ‘Drain’. Dito, ang kasalukuyang alisan ng tubig ay kinokontrol ng boltahe ng gate. Samakatuwid, ang mga MOSFET ay mga device na kinokontrol ng boltahe.
Ang MOSFET ay available sa apat na magkakaibang uri, gaya ng n channel o p channel, na nasa depletion o enhancement mode. Ang drain at source ay gawa sa n type na semiconductor para sa n channel MOSFETs, at katulad din para sa p channel device. Gate ay gawa sa metal, at pinaghihiwalay mula sa pinagmulan at alisan ng tubig gamit ang isang metal oxide. Ang pagkakabukod na ito ay nagdudulot ng mababang paggamit ng kuryente, at ito ay isang kalamangan sa MOSFET. Samakatuwid, ang MOSFET ay ginagamit sa digital CMOS logic, kung saan ang mga p- at n-channel na MOSFET ay ginagamit bilang mga bloke ng gusali upang mabawasan ang pagkonsumo ng kuryente.
Bagaman ang konsepto ng MOSFET ay iminungkahi nang napakaaga (noong 1925), praktikal itong ipinatupad noong 1959 sa Bell labs.
Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
Ang IGBT ay isang semiconductor device na may tatlong terminal na kilala bilang 'Emitter', 'Collector' at 'Gate'. Ito ay isang uri ng transistor, na kayang humawak ng mas mataas na dami ng kapangyarihan, at may mas mataas na bilis ng paglipat na ginagawa itong mataas na episyente. Ang IGBT ay ipinakilala sa merkado noong 1980s.
Ang IGBT ay may pinagsamang feature ng MOSFET at bipolar junction transistor (BJT). Ito ay hinihimok ng gate tulad ng MOSFET, at may kasalukuyang mga katangian ng boltahe tulad ng mga BJT. Samakatuwid, mayroon itong mga pakinabang ng parehong mataas na kasalukuyang kakayahan sa paghawak, at kadalian ng kontrol. Ang mga module ng IGBT (binubuo ng ilang device) ay kayang humawak ng kilowatts ng power.
Pagkakaiba sa pagitan ng IGBT at MOSFET
1. Bagama't parehong ang IGBT at MOSFET ay mga device na kinokontrol ng boltahe, ang IGBT ay may BJT tulad ng mga katangian ng pagpapadaloy.
2. Ang mga terminal ng IGBT ay kilala bilang emitter, collector, at gate, samantalang ang MOSFET ay gawa sa gate, source, at drain.
3. Ang mga IGBT ay mas mahusay sa paghawak ng kuryente kaysa sa MOSFET
4. Ang IGBT ay may mga PN junction, at ang mga MOSFET ay walang mga ito.
5. Ang IGBT ay may mas mababang forward voltage drop kumpara sa MOSFET
6. Ang MOSFET ay may mahabang kasaysayan kumpara sa IGBT
