MOSFET vs BJT
Ang Transistor ay isang electronic semiconductor device na nagbibigay ng malaking pagbabago sa electrical output signal para sa maliliit na pagbabago sa maliliit na input signal. Dahil sa kalidad na ito, maaaring gamitin ang device bilang amplifier o switch. Inilabas ang Transistor noong 1950s at maaari itong ituring na isa sa pinakamahalagang imbensyon noong ika-20 siglo kung isasaalang-alang ang kontribusyon sa IT. Ito ay isang mabilis na umuusbong na aparato at maraming uri ng transistor ang ipinakilala. Ang Bipolar Junction Transistor (BJT) ay ang unang uri at ang Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) ay isa pang uri ng transistor na ipinakilala sa ibang pagkakataon.
Bipolar Junction Transistor (BJT)
Ang BJT ay binubuo ng dalawang PN junction (isang junction na ginawa sa pamamagitan ng pagkonekta ng p type semiconductor at n type na semiconductor). Ang dalawang junction na ito ay nabuo gamit ang pagkonekta ng tatlong piraso ng semiconductor sa pagkakasunud-sunod ng P-N-P o N-P-N. Samakatuwid, mayroong dalawang uri ng BJT na kilala bilang PNP at NPN.
Tatlong electrodes ang konektado sa tatlong bahagi ng semiconductor na ito at ang gitnang lead ay tinatawag na 'base'. Ang iba pang dalawang junction ay 'emitter' at 'collector'.
Sa BJT, ang malaking collector emitter (Ic) current ay kinokontrol ng maliit na base emitter current (IB) at ang property na ito ay pinagsamantalahan upang magdisenyo ng mga amplifier o switch. Samakatuwid maaari itong ituring bilang isang kasalukuyang hinimok na aparato. Ang BJT ay kadalasang ginagamit sa mga amplifier circuit.
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)
Ang MOSFET ay isang uri ng Field Effect Transistor (FET), na gawa sa tatlong terminal na kilala bilang ‘Gate’, ‘Source’ at ‘Drain’. Dito, ang kasalukuyang alisan ng tubig ay kinokontrol ng boltahe ng gate. Samakatuwid, ang mga MOSFET ay mga device na kinokontrol ng boltahe.
Ang MOSFET ay available sa apat na magkakaibang uri gaya ng n channel o p channel na nasa depletion o enhancement mode. Ang drain at source ay gawa sa n type na semiconductor para sa n channel MOSFETs, at katulad din para sa p channel device. Gate ay gawa sa metal at pinaghihiwalay mula sa pinagmulan at alisan ng tubig gamit ang isang metal oxide. Ang pagkakabukod na ito ay nagdudulot ng mababang paggamit ng kuryente at ito ay isang kalamangan sa MOSFET. Samakatuwid, ang MOSFET ay ginagamit sa digital CMOS logic, kung saan ang mga p- at n-channel na MOSFET ay ginagamit bilang mga bloke ng gusali upang mabawasan ang pagkonsumo ng kuryente.
Bagaman ang konsepto ng MOSFET ay iminungkahi nang napakaaga (noong 1925), praktikal itong ipinatupad noong 1959 sa Bell labs.
BJT vs MOSFET
1. Ang BJT ay karaniwang isang kasalukuyang hinimok na device gayunpaman, ang MOSFET ay itinuturing bilang isang boltahe na kinokontrol na aparato.
2. Ang mga terminal ng BJT ay kilala bilang emitter, collector at base, samantalang ang MOSFET ay gawa sa gate, source at drain.
3. Sa karamihan ng mga bagong application, ang mga MOSFET ay ginagamit kaysa sa mga BJT.
4. Ang MOSFET ay may mas kumplikadong istraktura kumpara sa BJT
5. Ang MOSFET ay mahusay sa paggamit ng kuryente kaysa sa mga BJT at samakatuwid ay ginagamit sa CMOS logic.
