NMOS vs PMOS
Ang A FET (Field Effect Transistor) ay isang boltahe na kinokontrol na aparato kung saan ang kasalukuyang kakayahang magdala nito ay binago sa pamamagitan ng paglalapat ng isang electronic field. Ang karaniwang ginagamit na uri ng FET ay ang Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET). Ang MOSFET ay malawakang ginagamit sa mga integrated circuit at high speed switching application. Gumagana ang MOSFET sa pamamagitan ng pag-induce ng conducting channel sa pagitan ng dalawang contact na tinatawag na source at drain sa pamamagitan ng paglalagay ng boltahe sa oxide-insulated gate electrode. Mayroong dalawang pangunahing uri ng MOSFET na tinatawag na nMOSFET (karaniwang kilala bilang NMOS) at pMOSFET (karaniwang kilala bilang PMOS) depende sa uri ng mga carrier na dumadaloy sa channel.
Ano ang NMOS?
Tulad ng nabanggit kanina, ang NMOS (nMOSFET) ay isang uri ng MOSFET. Ang isang NMOS transistor ay binubuo ng n-type na pinagmulan at drain at isang p-type na substrate. Kapag ang isang boltahe ay inilapat sa gate, ang mga butas sa katawan (p-type na substrate) ay itinataboy palayo sa gate. Nagbibigay-daan ito sa pagbuo ng n-type na channel sa pagitan ng source at ng drain at ang kasalukuyang dinadala ng mga electron mula sa source papunta sa drain sa pamamagitan ng induced n-type na channel. Ang mga logic gate at iba pang mga digital na device na ipinatupad gamit ang mga NMOS ay sinasabing mayroong NMOS logic. Mayroong tatlong mga mode ng operasyon sa isang NMOS na tinatawag na cut-off, triode at saturation. Ang lohika ng NMOS ay madaling idisenyo at gawin. Ngunit ang mga circuit na may NMOS logic gate ay nagwawaldas ng static na kapangyarihan kapag ang circuit ay idling, dahil ang DC current ay dumadaloy sa logic gate kapag ang output ay mababa.
Ano ang PMOS?
Tulad ng nabanggit kanina, ang PMOS (pMOSFET) ay isang uri ng MOSFET. Ang isang PMOS transistor ay binubuo ng p-type na pinagmulan at drain at isang n-type na substrate. Kapag ang isang positibong boltahe ay inilapat sa pagitan ng pinagmulan at ng gate (negatibong boltahe sa pagitan ng gate at pinagmulan), isang p-type na channel ay nabuo sa pagitan ng pinagmulan at ang drain na may magkasalungat na polarities. Ang isang kasalukuyang ay dinadala ng mga butas mula sa pinagmulan hanggang sa alisan ng tubig sa pamamagitan ng isang sapilitan na p-type na channel. Ang isang mataas na boltahe sa gate ay magiging sanhi ng isang PMOS na hindi magsagawa, habang ang isang mababang boltahe sa gate ay magiging sanhi ito upang magsagawa. Ang mga logic gate at iba pang mga digital na aparato na ipinatupad gamit ang PMOS ay sinasabing mayroong PMOS logic. Ang teknolohiya ng PMOS ay mura at may mahusay na kaligtasan sa ingay.
Ano ang pagkakaiba ng NMOS at PMOS?
Ang NMOS ay binuo gamit ang n-type na source at drain at isang p-type na substrate, habang ang PMOS ay binuo na may p-type na source at drain at isang n-type na substrate. Sa isang NMOS, ang mga carrier ay mga electron, habang sa isang PMOS, ang mga carrier ay mga butas. Kapag ang isang mataas na boltahe ay inilapat sa gate, ang NMOS ay magsasagawa, habang ang PMOS ay hindi. Higit pa rito, kapag ang isang mababang boltahe ay inilapat sa gate, ang NMOS ay hindi magsasagawa at ang PMOS ay magsasagawa. Ang NMOS ay itinuturing na mas mabilis kaysa sa PMOS, dahil ang mga carrier sa NMOS, na mga electron, ay naglalakbay nang dalawang beses nang mas mabilis kaysa sa mga butas, na siyang mga carrier sa PMOS. Ngunit ang mga aparatong PMOS ay mas immune sa ingay kaysa sa mga aparatong NMOS. Higit pa rito, ang mga NMOS IC ay magiging mas maliit kaysa sa mga PMOS IC (na nagbibigay ng parehong functionality), dahil ang NMOS ay maaaring magbigay ng kalahati ng impedance na ibinibigay ng isang PMOS (na may parehong geometry at mga kondisyon ng operating).
